Datasheet下载- 型号： LN60A01ES-LF
- 制造商： MPS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供LN60A01ES-LF由MPS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 LN60A01ES-LF价格参考。MPSLN60A01ES-LF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载LN60A01ES-LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有LN60A01ES-LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 mA |
| Id-连续漏极电流 | 80 mA |
| 品牌 | Monolithic Power Systems (MPS) |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET 600V, 3 N-Channel FET |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | http://www.monolithicpower.com/DesktopModules/DocumentManage/API/Document/getDocument?id=140 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Monolithic Power Systems (MPS) LN60A01ES-LF |
| 产品型号 | LN60A01ES-LF |
| Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 190 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 190 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 15 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 商标 | Monolithic Power Systems (MPS) |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 20 C |
| 系列 | LN60A01ES |
| 配置 | Triple |
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