Datasheet下载- 型号： LM3S9DN6-IBZ80-A1T
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供LM3S9DN6-IBZ80-A1T由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 LM3S9DN6-IBZ80-A1T价格参考。Texas InstrumentsLM3S9DN6-IBZ80-A1T封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载LM3S9DN6-IBZ80-A1T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有LM3S9DN6-IBZ80-A1T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MCU 32BIT 512KB FLASH 108BGA |
| EEPROM容量 | - |
| 产品分类 | 嵌入式 - 微控制器 |
| I/O数 | 72 |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | LM3S9DN6-IBZ80-A1T |
| RAM容量 | 96K x 8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | Stellaris® ARM® Cortex™-M3S 9000 |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30354 |
| 供应商器件封装 | 108-BGA （10x10） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 外设 | 欠压检测/复位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT |
| 封装/外壳 | 108-LFBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 振荡器类型 | 内部 |
| 数据转换器 | A/D 16x12b |
| 标准包装 | 1,500 |
| 核心处理器 | ARM® Cortex™-M3 |
| 核心尺寸 | 32-位 |
| 电压-电源(Vcc/Vdd) | 1.235 V ~ 1.365 V |
| 程序存储器类型 | 闪存 |
| 程序存储容量 | 512KB（512K x 8） |
| 连接性 | CAN， EBI/EMI， 以太网， I²C， IrDA， LIN， Microwire， QEI， SPI， SSI， UART/USART， USB OTG |
| 速度 | 80MHz |
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