ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > L603C
Datasheet下载- 型号： L603C
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供L603C由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 L603C价格参考。STMicroelectronicsL603C封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 90V 400mA 1.8W Through Hole 18-DIP。您可以下载L603C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有L603C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS 8 NPN DARL 90V 400MA 18DIP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 2V @ 500µA， 300mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | - |
| 供应商器件封装 | 18-DIP |
| 其它名称 | 497-3639 |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | - |
| 晶体管类型 | 8 NPN 达林顿 |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 90V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 400mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | - |
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