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  • 型号: KST5550MTF
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供KST5550MTF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KST5550MTF价格参考。Fairchild SemiconductorKST5550MTF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载KST5550MTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有KST5550MTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR NPN 140V 600MA SOT-23两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor KST5550MTF-

数据手册

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产品型号

KST5550MTF

PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

60 @ 10mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23

其它名称

KST5550MTFDKR

功率-最大值

350mW

包装

Digi-Reel®

单位重量

60 mg

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

Fairchild Semiconductor

增益带宽产品fT

300 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

350 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.6 A

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

140V

电流-集电极(Ic)(最大值)

600mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

直流电流增益hFE最大值

250

直流集电极/BaseGainhfeMin

60

系列

KST5550

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

140 V

集电极—基极电压VCBO

160 V

集电极—射极饱和电压

0.25 V

集电极连续电流

0.6 A

零件号别名

KST5550MTF_NL

频率-跃迁

300MHz

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