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  • 型号: KST10MTF
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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KST10MTF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供KST10MTF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KST10MTF价格参考¥0.15-¥0.15。Fairchild SemiconductorKST10MTF封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频, RF Transistor NPN 25V 650MHz 350mW Surface Mount SOT-23-3。您可以下载KST10MTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有KST10MTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

KST10MTF是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款双极射频晶体管(BJT)。该型号专为高频和射频应用而设计,具有优异的高频性能、低噪声特性和高增益特性。以下是其主要应用场景:

 1. 射频放大器
KST10MTF广泛应用于射频放大器中,特别是在低噪声放大器(LNA)和功率放大器(PA)中。它能够提供稳定的增益和较低的噪声系数,适合用于无线通信设备中的信号放大,如蜂窝基站、Wi-Fi路由器等。

 2. 混频器和调制器
在射频系统中,混频器和调制器是关键组件,负责将信号从一个频率转换到另一个频率。KST10MTF的高频特性和良好的线性度使其成为这些应用的理想选择,尤其是在需要高精度频率转换的场景中。

 3. 振荡器
KST10MTF可以用于构建高性能的射频振荡器,如电压控制振荡器(VCO)。它的高频稳定性和低相位噪声特性使得它能够在无线通信系统中提供稳定的载波信号,确保信号传输的准确性和可靠性。

 4. 射频开关
在多频段或多模式无线通信系统中,射频开关用于在不同频段或模式之间切换。KST10MTF凭借其快速响应时间和低插入损耗,可以在这些应用中实现高效的射频信号切换。

 5. 测试与测量设备
KST10MTF还广泛应用于各种射频测试与测量设备中,如频谱分析仪、信号发生器等。它的高增益和低噪声特性有助于提高这些设备的测量精度和灵敏度。

 6. 雷达系统
在军事和民用雷达系统中,KST10MTF可用于发射机和接收机的关键部分,如功率放大器和低噪声放大器。它能够处理高功率射频信号并保持低噪声水平,从而提高雷达系统的探测距离和分辨率。

总之,KST10MTF是一款适用于多种射频应用的高性能双极晶体管,尤其适合对高频性能和低噪声有严格要求的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN 25V 350MW SOT23两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

产品分类

RF 晶体管 (BJT)分离式半导体

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor KST10MTF-

数据手册

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产品型号

KST10MTF

PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

60 @ 4mA,10V

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

KST10MTFCT

功率-最大值

350mW

包装

剪切带 (CT)

单位重量

60 mg

发射极-基极电压VEBO

3 V

商标

Fairchild Semiconductor

噪声系数(dB,不同f时的典型值)

-

增益

-

增益带宽产品fT

650 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

350 mW

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

25V

电流-集电极(Ic)(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

60

系列

KST10

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

25 V

集电极—基极电压VCBO

30 V

集电极—射极饱和电压

0.5 V

零件号别名

KST10MTF_NL

频率-跃迁

650MHz

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