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  • 型号: KSP2907ABU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供KSP2907ABU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSP2907ABU价格参考¥0.14-¥0.47。Fairchild SemiconductorKSP2907ABU封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 60V 600mA 200MHz 625mW 通孔 TO-92-3。您可以下载KSP2907ABU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有KSP2907ABU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

KSP2907ABU是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的单个双极晶体管(BJT)。该型号的晶体管具有低饱和电压、高开关速度和高电流增益等特性,适用于多种应用场景。

 1. 电源管理
KSP2907ABU常用于电源管理电路中,特别是在低压降稳压器(LDO)和DC-DC转换器中。其低饱和电压特性使得它在这些应用中能够有效减少功耗,提高效率。例如,在电池供电设备中,KSP2907ABU可以帮助延长电池寿命,同时保持稳定的输出电压。

 2. 信号放大
由于其高电流增益和良好的线性度,KSP2907ABU也广泛应用于模拟信号放大电路中。它可以作为音频放大器中的前置放大级或功率放大级的一部分,提供高质量的信号放大功能。此外,它还可以用于传感器信号调理电路中,将微弱的传感器信号放大到适合后续处理的水平。

 3. 开关应用
KSP2907ABU的高开关速度使其非常适合用于高速开关应用,如电机驱动、继电器控制和LED驱动等。在这些应用中,晶体管可以在导通和截止状态之间快速切换,从而实现对负载的有效控制。例如,在步进电机驱动电路中,KSP2907ABU可以用来控制电机绕组的电流流动,确保电机精确运行。

 4. 保护电路
该晶体管还常用于过流保护和短路保护电路中。通过检测电流的变化,KSP2907ABU可以迅速响应并切断电流路径,防止下游电路因过载而损坏。这种保护机制在电源适配器、充电器和其他电力电子设备中尤为重要。

 5. 通信设备
在通信领域,KSP2907ABU可用于射频(RF)信号处理和调制解调电路中。它的高频特性和低噪声性能使其成为无线通信模块、蓝牙设备和Wi-Fi路由器等产品中的理想选择。

总之,KSP2907ABU凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于电源管理、信号放大、开关控制、保护电路以及通信设备等多种领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR PNP 60V 600MA TO-92两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor KSP2907ABU-

数据手册

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产品型号

KSP2907ABU

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.6V @ 50mA,500mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 150mA,10V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

TO-92-3

功率-最大值

625mW

包装

散装

单位重量

179 mg

发射极-基极电压VEBO

- 5 V

商标

Fairchild Semiconductor

增益带宽产品fT

200 MHz

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Bulk

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3 标准主体

封装/箱体

TO-92

工厂包装数量

1000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

625 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.6 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,000

电压-集射极击穿(最大值)

60V

电流-集电极(Ic)(最大值)

600mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

直流电流增益hFE最大值

300

直流集电极/BaseGainhfeMin

100

系列

KSP2907

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

- 60 V

集电极—基极电压VCBO

- 60 V

集电极—射极饱和电压

- 1.6 V

集电极连续电流

- 0.6 A

频率-跃迁

200MHz

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