ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 > KSP10BU
Datasheet下载- 型号： KSP10BU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供KSP10BU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSP10BU价格参考。Fairchild SemiconductorKSP10BU封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 25V 650MHz 350mW Through Hole TO-92-3。您可以下载KSP10BU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有KSP10BU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的KSP10BU是一款双极射频晶体管（BJT），广泛应用于高频和射频电路中。这款器件具有低噪声、高增益和宽频率范围的特点，适用于多种射频放大器和混频器设计。以下是其主要应用场景： 1. 无线通信设备：KSP10BU常用于无线通信系统中的低噪声放大器（LNA）和驱动放大器。它能够在保持低噪声系数的同时提供足够的增益，确保信号在传输过程中不失真。此外，它还可以用作功率放大器的前置放大器，提升整个系统的性能。 2. 射频识别（RFID）：在RFID读写器中，KSP10BU可以作为射频前端的关键组件，负责信号的放大和处理。其高线性度和稳定性有助于提高读取距离和可靠性，特别是在高频段的应用中。 3. 卫星通信：该晶体管适用于卫星地面站和移动卫星通信设备中的射频模块。由于其良好的温度特性和抗干扰能力，KSP10BU能够在严苛的环境条件下稳定工作，保证数据传输的质量。 4. 测试与测量仪器：在射频测试仪器如频谱分析仪、网络分析仪等设备中，KSP10BU可作为内部放大器使用。它的高精度和宽动态范围使得这些仪器能够准确地测量和分析复杂的射频信号。 5. 医疗电子：某些医疗设备如超声波成像系统、微波治疗仪等也需要高性能的射频元件。KSP10BU凭借其紧凑的设计和优异的电气特性，成为这类应用的理想选择。 6. 工业自动化：在工业物联网（IIoT）领域，各种传感器和控制器之间的无线通信依赖于可靠的射频技术。KSP10BU可用于构建高效的无线传感网络节点，支持实时数据采集和远程监控。 总之，KSP10BU凭借其卓越的射频性能，在多个行业和领域都有广泛的应用前景，特别是在对信号质量要求较高的场合下表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR RF NPN 25V TO-92两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor KSP10BU- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | KSP10BU |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 4mA，10V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 散装 |
| 单位重量 | 179 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | 3 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | - |
| 增益带宽产品fT | 650 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 350 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 25V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 系列 | KSP10 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 25 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 30 V |
| 零件号别名 | KSP10BU_NL |
| 频率-跃迁 | 650MHz |
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