ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > KSD880YTU
Datasheet下载- 型号： KSD880YTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供KSD880YTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSD880YTU价格参考。Fairchild SemiconductorKSD880YTU封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 60V 3A 3MHz 30W 通孔 TO-220-3。您可以下载KSD880YTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有KSD880YTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KSD880YTU是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。该型号的BJT主要应用于需要高效开关和信号放大的场景，以下是其典型应用场景： 1. 电源管理 - KSD880YTU可用于直流-直流转换器、稳压电路或负载开关中，作为功率放大器或开关元件，帮助实现高效的电压调节和电流控制。 - 在低功耗系统中，该晶体管可以用于电池供电设备的电源管理，优化能源效率。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动应用中，如玩具、风扇或微型机器人，KSD880YTU可以用作电流放大器，将微控制器的输出信号转换为足够的电流来驱动电机。 - 它还可以用于H桥电路中的开关元件，以实现电机的正转、反转和制动功能。 3. 信号放大 - 该晶体管适用于音频放大器前端的信号放大，能够将弱输入信号增强到更高的电平，以便后续处理。 - 在通信设备中，KSD880YTU可以用于射频（RF）信号的小信号放大，提高接收灵敏度。 4. 开关电路 - KSD880YTU可作为电子开关使用，在继电器驱动、LED驱动或负载控制等场景中表现优异。例如，通过PWM信号控制LED亮度或驱动继电器线圈。 - 在数字电路中，它可以与微控制器配合，实现对外部设备的开关控制。 5. 保护电路 - 在过流保护或短路保护电路中，KSD880YTU可以用作检测和切断异常电流路径的关键元件。 - 它也可以用于设计限流电路，防止下游电路因过载而损坏。 6. 消费电子 - 该型号广泛应用于各种消费电子产品中，如家用电器、遥控器、传感器模块等，提供可靠的电流放大和开关功能。 总结 KSD880YTU凭借其出色的电流放大能力和快速开关特性，适合多种低至中功率的应用场景。在选择具体应用场景时，需结合其电气参数（如集电极-发射极电压、最大电流、增益等）进行合理设计，以确保电路稳定性和性能最优。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 60V 3A TO-220两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor KSD880YTU- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | KSD880YTU |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 300mA，3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 500mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 3 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 30 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 3A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100µA （ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 300 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 系列 | KSD880 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.4 V |
| 集电极连续电流 | 3 A |
| 频率-跃迁 | 3MHz |
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