ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > KSD1691GSTU
Datasheet下载- 型号： KSD1691GSTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
KSD1691GSTU产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供KSD1691GSTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSD1691GSTU价格参考。Fairchild SemiconductorKSD1691GSTU封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 60V 5A 1.3W 通孔 TO-126-3。您可以下载KSD1691GSTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有KSD1691GSTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KSD1691GSTU是由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。该器件主要应用于需要高可靠性和高性能的开关和放大电路中，尤其适用于工业控制、汽车电子、通信设备等领域。 应用场景： 1. 电源管理： KSD1691GSTU常用于电源管理电路中，作为开关元件或线性调节器的一部分。它能够承受较高的电流和电压，适合在直流-直流转换器、稳压器等应用中使用。其低饱和电压和快速开关特性有助于提高电源效率，减少能耗。 2. 电机驱动： 在电机驱动电路中，KSD1691GSTU可以用于驱动小型直流电机或步进电机。它能够提供足够的电流来启动和控制电机，并且具有良好的热稳定性和抗干扰能力，确保电机运行的可靠性。 3. 信号放大： 该晶体管也可用于音频放大器、射频放大器等信号放大电路中。其高增益和低噪声特性使其能够在这些应用中表现出色，特别是在需要高保真度的音频设备或无线通信设备中。 4. 保护电路： KSD1691GSTU可用于过流保护、短路保护等安全电路中。通过检测异常电流并迅速切断电路，它可以有效防止系统损坏，提升系统的安全性。 5. 汽车电子： 在汽车电子系统中，如发动机控制单元（ECU）、车身控制系统等，KSD1691GSTU凭借其宽温度范围和高可靠性，成为理想的选择。它能够在极端环境下保持稳定工作，满足汽车行业的严格要求。 总之，KSD1691GSTU是一款性能优异的双极型晶体管，适用于多种工业和消费类电子产品中的关键电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 60V 5A TO-126两极晶体管 - BJT 60V 5A NPN BJT |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor KSD1691GSTU- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | KSD1691GSTU |
| PCN过时产品 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 2A，1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-126 |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 761 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 封装/箱体 | TO-126 |
| 工厂包装数量 | 60 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 1300 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 60 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 at 2 A at 1 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 at 2 A at 1 V |
| 系列 | KSD1691 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 频率-跃迁 | - |
