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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR NPN 60V 7A TO-220F两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor KSD1588YTU- |
数据手册 | |
产品型号 | KSD1588YTU |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 500mA,5A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 3A,1V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-220F |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 2.270 g |
发射极-基极电压VEBO | 7 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220F-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 2000 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 7 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 60V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 7A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 200 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 40 |
系列 | KSD1588 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
集电极—基极电压VCBO | 100 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
集电极连续电流 | 7 A |
频率-跃迁 | - |