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型号： KSB1151YSTU
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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KSB1151YSTU产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供KSB1151YSTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSB1151YSTU价格参考。Fairchild SemiconductorKSB1151YSTU封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，双极 (BJT) 晶体管 PNP 60V 5A 1.3W 通孔 TO-126-3。您可以下载KSB1151YSTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有KSB1151YSTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR PNP 60V 5A TO-126两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor KSB1151YSTU-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	KSB1151YSTU
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	300mV @ 200mA，2A
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	160 @ 2A，1V
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	TO-126
功率-最大值	1.3W
包装	管件
单位重量	761 mg
发射极-基极电压VEBO	- 7 V
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-225AA，TO-126-3
封装/箱体	TO-126
工厂包装数量	60
晶体管极性	PNP
晶体管类型	PNP
最大功率耗散	20 W
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	5 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	60
电压-集射极击穿（最大值）	60V
电流-集电极(Ic)（最大值）	5A
电流-集电极截止（最大值）	-
直流电流增益hFE最大值	400
直流集电极/BaseGainhfeMin	100
系列	KSB1151
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	- 60 V
集电极—基极电压VCBO	- 60 V
集电极—射极饱和电压	- 0.14 V
零件号别名	KSB1151YSTU_NL
频率-跃迁	-