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  • 型号: JAN1N6112US
  • 制造商: MICRO-SEMI
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供JAN1N6112US由MICRO-SEMI设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 JAN1N6112US价格参考。MICRO-SEMIJAN1N6112US封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载JAN1N6112US参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有JAN1N6112US 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

电路保护

描述

TVS DIODE 13.7VWM SQMELF

产品分类

TVS - 二极管

品牌

Microsemi HI-REL [MIL]

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/127892-lds-0277-1

产品图片

产品型号

JAN1N6112US

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同频率时的电容

-

供应商器件封装

B, SQ-MELF

其它名称

1086-2168

功率-峰值脉冲

500W

包装

散装

单向通道

-

双向通道

1

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SQ-MELF, B

工作温度

-55°C ~ 175°C

应用

通用

标准包装

1

电压-击穿(最小值)

16.25V

电压-反向关态(典型值)

13.7V

电压-箝位(最大值)@Ipp

26.36V

电流-峰值脉冲(10/1000µs)

18.91A

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类型

齐纳

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