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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | JFET P-CH 30V 400MW TO92JFET TAPERA P-channel FET |
产品分类 | JFET(结点场效应分离式半导体 |
FET类型 | P 沟道 |
Id-连续漏极电流 | 70 mA |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,JFET,NXP Semiconductors J175,116- |
数据手册 | |
产品型号 | J175,116 |
Pd-功率耗散 | 400 mW |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
Vgs=0时的漏-源电流 | - 70 mA |
不同Id时的电压-截止(VGS关) | 3V @ 10nA |
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 7mA @ 15V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8pF @ 10V(VGS) |
产品种类 | JFET |
供应商器件封装 | TO-92 |
其它名称 | 934005300116 |
功率-最大值 | 400mW |
功率耗散 | 400 mW |
包装 | 带盒(TB) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
封装/箱体 | TO-92 |
工厂包装数量 | 10000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 60 C |
标准包装 | 10,000 |
漏极电流(Id)-最大值 | - |
漏极连续电流 | 70 mA |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
漏源电压VDS | 30 V |
电压-击穿(V(BR)GSS) | 30V |
电阻-RDS(开) | 125 欧姆 |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | 30 V |
零件号别名 | J175 T/R |