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Datasheet下载- 型号： J112
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供J112由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 J112价格参考。Fairchild SemiconductorJ112封装/规格：晶体管 - JFET， JFET N-Channel 35V 625mW Through Hole TO-92-3。您可以下载J112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有J112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的J112是一款N沟道硅栅JFET（结型场效应晶体管）。它具有低噪声、高线性度和优异的温度稳定性，因此适用于多种模拟和射频应用。以下是J112的主要应用场景： 1. 音频放大器 J112由于其低噪声特性，常用于音频前置放大器中。它的高线性度可以确保音频信号在放大过程中不失真，特别适合于高端音响设备和乐器放大器。 2. 射频电路 J112的高频性能使其成为射频应用的理想选择。它可以用于VHF/UHF频段的低噪声放大器、混频器和调谐电路。此外，J112的低栅极电容有助于减少寄生电容对高频信号的影响，从而提高电路的稳定性和效率。 3. 模拟开关 J112可以用作模拟开关或缓冲器，特别是在需要低导通电阻和低泄漏电流的应用中。它可以在音频信号切换、视频信号处理等场景中提供可靠的性能。 4. 传感器接口 J112的高输入阻抗和低噪声特性使其非常适合与各种传感器配合使用。例如，在压力传感器、温度传感器等精密测量系统中，J112可以用作信号调理电路的一部分，以提高系统的灵敏度和精度。 5. 电源管理 在某些低功耗应用中，J112可以用作电压调节器或电流源。它的低静态电流和稳定的输出特性使得它在便携式设备、电池供电系统中有广泛的应用。 6. 音频振荡器 J112可以用于构建音频振荡器，生成精确的正弦波或方波信号。它的稳定性和可调性使得它在音频合成器和其他音乐设备中有重要应用。 7. 测试与测量设备 J112的高线性度和低噪声特性使其成为测试与测量设备中的关键元件。例如，在示波器、频谱分析仪等设备中，J112可以用于信号放大和处理，确保测量结果的准确性。 总的来说，J112凭借其卓越的电气特性，广泛应用于模拟电路、射频电路、传感器接口和音频设备等领域，能够满足高性能、低噪声和高稳定性的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | JFET N-CH 35V 625MW TO92JFET N-Channel Switch |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,Fairchild Semiconductor J112- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | J112 |
| Pd-PowerDissipation | 625 mW |
| Pd-功率耗散 | 625 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 50 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 50 Ohms |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 35 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 35 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 5 mA |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 1V @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 5mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它名称 | J112FS |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 功率耗散 | 625 mW |
| 包装 | 散装 |
| 单位重量 | 201 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 50 Ohms |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 35V |
| 电阻-RDS（开） | 50 欧姆 |
| 系列 | J112 |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 35 V |
| 闸/源截止电压 | - 5 V |
| 零件号别名 | J112_NL |
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