ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - JFET > J112
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Datasheet下载- 型号： J112
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供J112由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 J112价格参考。Fairchild SemiconductorJ112封装/规格：晶体管 - JFET， JFET N-Channel 35V 625mW Through Hole TO-92-3。您可以下载J112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有J112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | JFET N-CH 35V 625MW TO92JFET N-Channel Switch |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,Fairchild Semiconductor J112- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | J112 |
| Pd-PowerDissipation | 625 mW |
| Pd-功率耗散 | 625 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 50 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 50 Ohms |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 35 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 35 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 5 mA |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 1V @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 5mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它名称 | J112FS |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 功率耗散 | 625 mW |
| 包装 | 散装 |
| 单位重量 | 201 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 50 Ohms |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 35V |
| 电阻-RDS（开） | 50 欧姆 |
| 系列 | J112 |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 35 V |
| 闸/源截止电压 | - 5 V |
| 零件号别名 | J112_NL |
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