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  • 型号: IXYT30N65C3H1HV
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXYT30N65C3H1HV由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXYT30N65C3H1HV价格参考。IXYSIXYT30N65C3H1HV封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXYT30N65C3H1HV参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXYT30N65C3H1HV 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

21ns/75ns

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

118A

描述

IGBT 650V 60A 270W TO268HVIGBT 晶体管 650V/60A XPT Copacked TO-268HV

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

44nC

IGBT类型

PT

品牌

IXYS

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXYT30N65C3H1HVGenX3™, XPT™

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IXYT30N65C3H1HV

SwitchingEnergy

1mJ (开), 270µJ (关)

TestCondition

400V, 30A, 10 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.7V @ 15V,30A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-268

功率-最大值

270W

功率耗散

270 W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

120ns

商标

IXYS

商标名

XPT

在25C的连续集电极电流

60 A

安装类型

表面贴装

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA

封装/箱体

TO-268HV-2

工厂包装数量

30

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

30 V

栅极—射极漏泄电流

100 nA

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

650V

电流-集电极(Ic)(最大值)

60A

系列

IXYT30N65C3

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

650 V

集电极—射极饱和电压

2.35 V

集电极最大连续电流Ic

60 A

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