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IXYP15N65C3D1M产品简介:
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参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 15ns/68ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 80A |
描述 | IGBT 650V 16A 48W TO-220IGBT 晶体管 650V/16A XPT IGBT C3 Copacked TO-220 |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 19nC |
IGBT类型 | PT |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXYP15N65C3D1MGenX3™, XPT™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXYP15N65C3D1M |
SwitchingEnergy | 270µJ (开), 230µJ (关) |
TestCondition | 400V, 15A, 20 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 15V,15A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
功率-最大值 | 48W |
功率耗散 | 48 W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 30ns |
商标 | IXYS |
商标名 | XPT |
在25C的连续集电极电流 | 16 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | 30 V |
栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 650V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 16A |
系列 | IXYP15N65 |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 650 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.96 V |
集电极最大连续电流Ic | 16 A |