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  • 型号: IXYP15N65C3D1M
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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IXYP15N65C3D1M产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXYP15N65C3D1M由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IXYP15N65C3D1M价格参考以及IXYSIXYP15N65C3D1M封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IXYP15N65C3D1M参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有IXYP15N65C3D1M详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

15ns/68ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

80A

描述

IGBT 650V 16A 48W TO-220IGBT 晶体管 650V/16A XPT IGBT C3 Copacked TO-220

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

19nC

IGBT类型

PT

品牌

IXYS

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXYP15N65C3D1MGenX3™, XPT™

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产品型号

IXYP15N65C3D1M

SwitchingEnergy

270µJ (开), 230µJ (关)

TestCondition

400V, 15A, 20 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.5V @ 15V,15A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-220AB

功率-最大值

48W

功率耗散

48 W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

30ns

商标

IXYS

商标名

XPT

在25C的连续集电极电流

16 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

30 V

栅极—射极漏泄电流

100 nA

标准包装

50

电压-集射极击穿(最大值)

650V

电流-集电极(Ic)(最大值)

16A

系列

IXYP15N65

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

650 V

集电极—射极饱和电压

1.96 V

集电极最大连续电流Ic

16 A

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