ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 > IXYH50N65C3
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IXYH50N65C3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXYH50N65C3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXYH50N65C3价格参考。IXYSIXYH50N65C3封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT PT 650V 130A 600W 通孔 TO-247(IXYH)。您可以下载IXYH50N65C3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXYH50N65C3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 22ns/80ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 250A |
描述 | IGBT 650V 130A 600W TO247IGBT 晶体管 650V/130A XPT C3-Class TO-247 |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 80nC |
IGBT类型 | PT |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXYH50N65C3GenX3™, XPT™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXYH50N65C3 |
SwitchingEnergy | 1.3mJ (开), 370µJ (关) |
TestCondition | 400V, 36A, 5 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.1V @ 15V, 36A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-247 (IXYH) |
功率-最大值 | 600W |
功率耗散 | 600 W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | IXYS |
商标名 | XPT |
在25C的连续集电极电流 | 130 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 30 |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | 30 V |
栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 650V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 130A |
系列 | IXYH50N65 |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 650 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.74 V |
集电极最大连续电流Ic | 130 A |