ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > IXYH50N120C3D1
Datasheet下载- 型号： IXYH50N120C3D1
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXYH50N120C3D1由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXYH50N120C3D1价格参考。IXYSIXYH50N120C3D1封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 1200V 90A 625W Through Hole TO-247 (IXYH)。您可以下载IXYH50N120C3D1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXYH50N120C3D1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS公司的IXYH50N120C3D1是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于Ultrafast Groove Bipolar Transistor (UGBT) 系列，专为高电压、高效率应用场景设计。以下是其主要应用场景： 1. 工业电源 - 适用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器和逆变器等设备中。 - 高耐压（1200V）特性使其适合高压工业电源系统，如不间断电源（UPS）和可再生能源发电系统中的功率转换。 2. 电机驱动 - 在工业自动化领域，用于驱动大功率电机，如伺服电机、步进电机等。 - 其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关速度能够提高效率并减少发热。 3. 新能源应用 - 在太阳能逆变器和风能发电系统中作为核心功率器件，实现高效的电能转换。 - 适用于电池储能系统（BESS），支持充放电过程中的能量管理。 4. 电动汽车（EV）与混合动力汽车（HEV） - 用于车载充电器（OBC）、DC/DC转换器以及牵引逆变器等关键部件。 - 高可靠性和耐用性满足车辆运行中的严苛要求。 5. 焊接设备 - 在高频焊机中提供稳定的功率输出，确保焊接质量和效率。 6. 家电与消费电子 - 应用于大功率家用电器，如空调、洗衣机等，提升能效比并降低能耗。 IXYH50N120C3D1凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景，尤其适合对电压和电流要求较高的工业及能源领域。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 28ns/133ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 210A |
| 描述 | IGBT 1200V 90A 625W TO247IGBT 晶体管 XPT 1200V IGBT GenX6 XPT IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 142nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXYH50N120C3D1GenX3™， XPT™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXYH50N120C3D1 |
| SwitchingEnergy | 3mJ（开），1mJ（关） |
| TestCondition | 600V, 50A, 5 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 4V @ 15V，50A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 （IXYH） |
| 功率-最大值 | 625W |
| 功率耗散 | 625 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 195ns |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | XPT |
| 在25C的连续集电极电流 | 90 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 90A |
| 系列 | IXYH50N120 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 4.2 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 90 A |
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