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  • 型号: IXXK110N65B4H1
  • 制造商: IXYS
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IXXK110N65B4H1产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXXK110N65B4H1由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXXK110N65B4H1价格参考。IXYSIXXK110N65B4H1封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT PT 650V 240A 880W Through Hole TO-264 (IXXK)。您可以下载IXXK110N65B4H1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXXK110N65B4H1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXXK110N65B4H1 是由 IXYS 生产的一款 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于 UGBT 系列。该型号的晶体管具有以下关键参数:

- 最大漏源电压(VDS):650V
- 最大漏极电流(ID):110A
- RDS(on)(导通电阻):7.2mΩ(典型值)
- 适用于高频开关应用

 应用场景

 1. 工业电源和逆变器
IXXK110N65B4H1 适用于高功率工业电源和逆变器,如不间断电源 (UPS) 和太阳能逆变器。其高耐压和大电流能力使其能够在高压、大电流环境下稳定工作,确保电力转换效率和可靠性。

 2. 电机驱动
在电机驱动应用中,IXXK110N65B4H1 可用于控制电动机的速度和方向。其低导通电阻有助于减少功耗,提高系统的整体效率。特别是在需要频繁启停或调速的场合,该器件能够提供快速响应和稳定的性能。

 3. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV)
IXXK110N65B4H1 的高耐压和大电流特性使其非常适合用于电动汽车和混合动力汽车中的牵引逆变器、DC-DC 转换器等关键部件。它能够承受电池提供的高电压,并且在高速开关过程中保持低损耗,从而提高车辆的能效。

 4. 焊接设备
在焊接设备中,IXXK110N65B4H1 可用于控制焊接电流和电压。其强大的电流承载能力和快速开关速度能够满足焊接过程中对高精度电流控制的需求,同时保证设备的可靠性和耐用性。

 5. 高频开关电源
IXXK110N65B4H1 还可用于高频开关电源,尤其是在需要高效能和小体积的设计中。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高电源转换效率,减少热量产生,延长使用寿命。

总之,IXXK110N65B4H1 是一款高性能的 MOSFET,广泛应用于需要高功率、高效率和高可靠性的领域。其卓越的电气特性和稳定性使其成为许多工业和消费电子产品的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

38ns/156ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

630A

描述

IGBT 650V 240A 880W TO264IGBT 晶体管 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

183nC

IGBT类型

PT

品牌

IXYS

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXXK110N65B4H1GenX4™, XPT™

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IXXK110N65B4H1

SwitchingEnergy

2.2mJ (开), 1.05mJ (关)

TestCondition

400V, 55A, 2 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.1V @ 15V,110A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-264 (IXXK)

功率-最大值

880W

功率耗散

880 W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

100ns

商标

IXYS

商标名

XPT

在25C的连续集电极电流

240 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-264-3,TO-264AA

封装/箱体

TO-264-3

工厂包装数量

25

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

20 V

栅极—射极漏泄电流

100 nA

标准包装

25

电压-集射极击穿(最大值)

650V

电流-集电极(Ic)(最大值)

240A

系列

IXXK110N65

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

650 V

集电极—射极饱和电压

1.75 V

集电极最大连续电流Ic

110 A

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