ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IXTY1R4N120P
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- 型号： IXTY1R4N120P
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTY1R4N120P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTY1R4N120P价格参考。IXYSIXTY1R4N120P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 1200V 1.4A（Tc） TO-252，（D-Pak）。您可以下载IXTY1R4N120P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTY1R4N120P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXTY1R4N120P是由IXYS公司生产的单个MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）器件，广泛应用于各种电力电子设备中。该型号属于高压功率MOSFET类别，具有出色的开关特性和低导通电阻，适用于高效率、高性能的电源管理系统。 主要应用场景 1. 工业控制与自动化 - IXTY1R4N120P可用于工业电机驱动器、伺服控制器等设备中。其高耐压特性（1200V）使其能够在恶劣的工作环境中稳定运行，确保系统的可靠性和安全性。 - 例如，在工厂自动化生产线中，它能够有效控制电动机的速度和方向，提高生产效率。 2. 可再生能源系统 - 在太阳能逆变器和风力发电系统中，IXTY1R4N120P用于将直流电转换为交流电。其高效的开关性能有助于减少能量损耗，提升系统的整体效率。 - 它还能够承受较大的电流波动，保证在不同天气条件下的稳定输出。 3. 电动汽车（EV）与混合动力汽车（HEV） - 该MOSFET可用于电动汽车的动力系统中，如电池管理系统（BMS）、DC-DC转换器和车载充电器等。其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低发热，延长电池寿命。 - 在混合动力汽车中，它能实现快速、精确的功率调节，优化燃油经济性。 4. 不间断电源（UPS） - IXTY1R4N120P适用于不间断电源系统中的逆变电路，确保在市电中断时能够迅速切换到备用电源，保护关键设备不受损害。 - 其高可靠性和长寿命使得UPS系统更加稳定可靠。 5. 家用电器 - 在一些高端家电中，如空调、洗衣机等，IXTY1R4N120P可以用于变频控制系统，实现更节能、更安静的操作体验。 - 它还可以用于电磁炉、微波炉等厨房电器中，提供高效、稳定的加热功能。 总之，IXTY1R4N120P凭借其卓越的电气性能和可靠性，成为众多电力电子应用的理想选择，特别是在需要高电压、大电流和高效能转换的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXTY1R4N120P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | - |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.4A （Tc） |
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