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  • 型号: IXTX8N150L
  • 制造商: IXYS
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXTX8N150L由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTX8N150L价格参考。IXYSIXTX8N150L封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTX8N150L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTX8N150L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 1500V 8A PLUS247MOSFET Standard Linear Power MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

8 A

Id-连续漏极电流

8 A

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXTX8N150L-

数据手册

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产品型号

IXTX8N150L

Pd-PowerDissipation

700 W

Pd-功率耗散

700 W

Qg-GateCharge

250 nC

Qg-栅极电荷

250 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

3.6 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

3.6 Ohms

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

1.5 kV

Vds-漏源极击穿电压

1.5 kV

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

8 V

Vgsth-栅源极阈值电压

8 V

上升时间

18 ns

下降时间

95 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

8V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

8000pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

250nC @ 15V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.6 欧姆 @ 4A,20V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PLUS247™-3

典型关闭延迟时间

90 ns

功率-最大值

700W

包装

管件

商标

IXYS

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

PLUS 247-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

正向跨导-最小值

1.4 S

漏源极电压(Vdss)

1500V(1.5kV)

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8A (Tc)

系列

IXTX8N150

通道模式

Enhancement

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