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IXTX40P50P产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTX40P50P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTX40P50P价格参考。IXYSIXTX40P50P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 500V 40A(Tc) 890W(Tc) PLUS247™-3。您可以下载IXTX40P50P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTX40P50P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTX40P50P是一款N沟道功率MOSFET,其主要应用场景包括以下几类: 1. 开关电源(SMPS) - IXTX40P50P适用于各种开关电源设计,例如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。其低导通电阻(Rds(on))和高击穿电压(500V)使其能够高效处理高压输入和快速开关操作。 - 在反激式、正激式或同步整流电路中,该器件可作为主开关或同步整流开关使用。 2. 电机驱动 - 用于小型直流电机或步进电机的驱动控制,尤其是在需要高电压驱动的应用中。其耐压能力使其适合工业设备、家用电器中的电机控制场景。 - 可实现PWM调速功能,通过调节占空比控制电机转速。 3. 逆变器 - 在光伏逆变器、UPS不间断电源或其他类型的逆变器中,IXTX40P50P可用作功率级开关元件,完成直流到交流的转换。 - 高压特性允许其在较高输入电压下稳定工作。 4. 负载开关与保护电路 - 用作负载开关以控制电路的通断状态,同时提供过流保护和短路保护功能。 - 在电池管理系统(BMS)中,该MOSFET可用于保护电池组免受过充、过放或短路损害。 5. 脉冲宽度调制(PWM)应用 - 在音频放大器(如D类功放)或其他需要高频PWM信号的应用中,IXTX40P50P凭借其较快的开关速度和低损耗特性,能够满足高性能需求。 6. 电磁阀与继电器驱动 - 用于控制电磁阀或固态继电器的开启与关闭,特别是在高压环境下,该器件表现出色。 总结 IXTX40P50P以其500V的高耐压、低导通电阻以及良好的热性能,广泛应用于高压、大电流场景下的开关和控制任务。无论是消费电子、工业设备还是新能源领域,这款MOSFET都能提供可靠的解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 500V 40A PLUS247MOSFET -40.0 Amps -500V 0.230 Rds |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 40 A |
Id-连续漏极电流 | - 40 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTX40P50PPolarP™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXTX40P50P |
Pd-PowerDissipation | 890 W |
Pd-功率耗散 | 890 W |
Qg-GateCharge | 205 nC |
Qg-栅极电荷 | 205 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 230 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 230 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | - 4 V |
上升时间 | 59 ns |
下降时间 | 34 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11500pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 205nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 230 毫欧 @ 20A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PLUS247™-3 |
典型关闭延迟时间 | 90 ns |
功率-最大值 | 890W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 7.300 g |
商标 | IXYS |
商标名 | PolarP |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | PLUS 247-3 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
正向跨导-最小值 | 23 S |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 40A (Tc) |
系列 | IXTX40P50 |
通道模式 | Enhancement |