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IXTT16P60P产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTT16P60P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTT16P60P价格参考。IXYSIXTT16P60P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 600V 16A(Tc) 460W(Tc) TO-268。您可以下载IXTT16P60P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTT16P60P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 600V 16A TO-268MOSFET -16.0 Amps -600V 0.720 Rds |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 16 A |
Id-连续漏极电流 | - 16 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTT16P60PPolarP™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXTT16P60P |
Pd-PowerDissipation | 460 W |
Pd-功率耗散 | 460 W |
Qg-GateCharge | 92 nC |
Qg-栅极电荷 | 92 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 720 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 720 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | - 4 V |
上升时间 | 25 ns |
下降时间 | 38 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5120pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 92nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 720 毫欧 @ 500mA,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-268 |
典型关闭延迟时间 | 60 ns |
功率-最大值 | 460W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 4.500 g |
商标 | IXYS |
商标名 | PolarP |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA |
封装/箱体 | TO-268-2 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
正向跨导-最小值 | 11 S |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 16A (Tc) |
系列 | IXTT16P60 |
通道模式 | Enhancement |