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  • 型号: IXTT16N20D2
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXTT16N20D2由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTT16N20D2价格参考。IXYSIXTT16N20D2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTT16N20D2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTT16N20D2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 16A TO-268MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

耗尽模式

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

16 A

Id-连续漏极电流

16 A

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXTT16N20D2-

数据手册

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产品型号

IXTT16N20D2

Pd-PowerDissipation

695 W

Pd-功率耗散

695 W

Qg-GateCharge

208 nC

Qg-栅极电荷

208 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

73 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

73 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

130 ns

下降时间

135 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

-

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5500pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

208nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

73 毫欧 @ 8A,0V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-268

典型关闭延迟时间

270 ns

功率-最大值

695W

包装

管件

商标

IXYS

安装类型

表面贴装

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA

封装/箱体

TO-268-2

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

16A (Tc)

系列

IXTT16N20

通道模式

Depletion

配置

Single

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