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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Depletion |
描述 | MOSFET N-CH 100V 16A TO-268MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 耗尽模式 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 16 A |
Id-连续漏极电流 | 16 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTT16N10D2- |
数据手册 | |
产品型号 | IXTT16N10D2 |
Pd-PowerDissipation | 830 W |
Pd-功率耗散 | 830 W |
Qg-GateCharge | 225 nC |
Qg-栅极电荷 | 225 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 64 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 64 mOhms |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 43 ns |
下降时间 | 70 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5700pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 225nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 64 毫欧 @ 8A,0V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-268 |
典型关闭延迟时间 | 340 ns |
功率-最大值 | 830W |
包装 | 管件 |
商标 | IXYS |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA |
封装/箱体 | TO-268-2 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
正向跨导-最小值 | 7 S |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 16A (Tc) |
系列 | IXTT16N10 |
通道模式 | Depletion |
配置 | Single |