参数 |
数值 |
产品目录 |
分立半导体产品半导体 |
ChannelMode |
Enhancement |
描述 |
MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268MOSFET 1200V High Voltage Power MOSFET |
产品分类 |
FET - 单分离式半导体 |
FET功能 |
标准 |
FET类型 |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent |
12 A |
Id-连续漏极电流 |
12 A |
品牌 |
IXYS |
产品手册 |
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产品图片 |
|
rohs |
符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 |
晶体管,MOSFET,IXYS IXTT12N150- |
数据手册 |
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产品型号 |
IXTT12N150 |
Pd-PowerDissipation |
890 W |
Pd-功率耗散 |
890 W |
Qg-GateCharge |
106 nC |
Qg-栅极电荷 |
106 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance |
2 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 |
2 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage |
1.5 kV |
Vds-漏源极击穿电压 |
1.5 kV |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage |
+/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 |
30 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage |
4.5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
4.5 V |
上升时间 |
16 ns |
下降时间 |
14 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) |
4.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) |
3720pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) |
106nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) |
2 欧姆 @ 6A,10V |
产品种类 |
MOSFET |
供应商器件封装 |
TO-268 |
典型关闭延迟时间 |
53 ns |
功率-最大值 |
890W |
包装 |
管件 |
商标 |
IXYS |
安装类型 |
表面贴装 |
安装风格 |
SMD/SMT |
封装 |
Tube |
封装/外壳 |
TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA |
封装/箱体 |
TO-268-2 |
工厂包装数量 |
30 |
晶体管极性 |
N-Channel |
最大工作温度 |
+ 150 C |
最小工作温度 |
- 55 C |
标准包装 |
30 |
正向跨导-最小值 |
8 S |
漏源极电压(Vdss) |
1500V(1.5kV) |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) |
12A (Tc) |
系列 |
IXTT12N150 |
通道模式 |
Enhancement |