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  • 型号: IXTT02N450HV
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXTT02N450HV由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTT02N450HV价格参考。IXYSIXTT02N450HV封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTT02N450HV参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTT02N450HV 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 4500V 200MA TO268MOSFET 4500V 200mA HV Power MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

200 mA

Id-连续漏极电流

200 mA

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXTT02N450HV-

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产品型号

IXTT02N450HV

Pd-PowerDissipation

113 W

Pd-功率耗散

113 W

Qg-GateCharge

10.4 nC

Qg-栅极电荷

10.4 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

750 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

750 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

4.5 kV

Vds-漏源极击穿电压

4.5 kV

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V to 6.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V to 6.5 V

上升时间

48 ns

下降时间

143 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

6.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

256pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

10.4nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

750 欧姆 @ 10mA,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-268

典型关闭延迟时间

28 ns

功率-最大值

113W

包装

管件

商标

IXYS

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

750 Ohms

封装

Tube

封装/外壳

TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA

封装/箱体

TO-268-2

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

正向跨导-最小值

100 mS

汲极/源极击穿电压

4.5 kV

漏极连续电流

200 mA

漏源极电压(Vdss)

4500V (4.5kV)

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/4500-v-power-mosfets/50198

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

200mA (Tc)

系列

IXTT02N450

通道模式

Enhancement

配置

Single

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