ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IXTQ52N30P
Datasheet下载- 型号： IXTQ52N30P
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IXTQ52N30P产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTQ52N30P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTQ52N30P价格参考。IXYSIXTQ52N30P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 300V 52A（Tc） 400W（Tc） TO-3P。您可以下载IXTQ52N30P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTQ52N30P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 300V 52A TO-3PMOSFET 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 52 A |
| Id-连续漏极电流 | 52 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTQ52N30PPolarHT™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTQ52N30P |
| Pd-PowerDissipation | 400 W |
| Pd-功率耗散 | 400 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 66 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 66 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 300 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3490pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 66 毫欧 @ 26A, 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 功率-最大值 | 400W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 5.500 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3P-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 300V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 52A （Tc） |
| 系列 | IXTQ52N30 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
