【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IXTQ150N15P】封装/厂家_IXTQ150N15P中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： IXTQ150N15P
制造商： IXYS
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IXTQ150N15P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTQ150N15P价格参考。IXYSIXTQ150N15P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 150V 150A（Tc） 714W（Tc） TO-3P。您可以下载IXTQ150N15P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTQ150N15P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS的IXTQ150N15P是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其主要应用场景包括但不限于以下领域：

 1. 开关电源（SMPS）
   - IXTQ150N15P适用于各种开关电源设计，如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其150V的击穿电压使其能够承受较高的电压波动，适合用于中低电压范围的电源系统。
   - 高效的开关性能和低导通电阻（典型值为0.18Ω）有助于降低功率损耗，提高电源转换效率。

 2. 电机驱动
   - 在小型直流电机或步进电机驱动中，该MOSFET可以用作开关器件，控制电机的启停、速度和方向。
   - 其快速开关特性和低导通电阻有助于减少发热，延长设备寿命。

 3. 逆变器
   - 用于光伏逆变器或其他类型的逆变器中，作为功率开关元件，将直流电转换为交流电。
   - 能够处理高达43A的脉冲电流，确保在高负载条件下稳定运行。

 4. 电池管理系统（BMS）
   - 在锂电池或其他类型电池的保护电路中，IXTQ150N15P可用作充放电控制开关，防止过流、短路等问题。
   - 其紧凑的TO-263封装形式便于集成到小型化设计中。

 5. 工业自动化
   - 适用于工业控制系统中的继电器替代方案，用作固态继电器（SSR）以实现更高效、更可靠的信号切换。
   - 可用于驱动电磁阀、LED灯条或其他负载设备。

 6. 汽车电子
   - 在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电器、LED照明驱动、电动座椅调节等场景。
   - 具备良好的热稳定性和耐久性，适应汽车环境下的温度变化和振动条件。

 7. 消费电子产品
   - 应用于笔记本电脑适配器、智能手机快充模块、家用电器（如风扇、吸尘器）等产品中，提供高效的功率管理解决方案。

总结来说，IXTQ150N15P凭借其出色的电气特性、可靠性和紧凑封装，广泛应用于需要高效功率转换和控制的各类电子设备中。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 150V 150A TO-3PMOSFET 150 Amps 150V 0.013 Rds
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	150 A
Id-连续漏极电流	150 A
品牌	IXYS
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,IXYS IXTQ150N15PPolarHT™
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IXTQ150N15P
Pd-PowerDissipation	714 W
Pd-功率耗散	714 W
Qg-GateCharge	190 nC
Qg-栅极电荷	190 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	13 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	13 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	150 V
Vds-漏源极击穿电压	150 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	5 V
Vgsth-栅源极阈值电压	5 V
上升时间	33 ns
下降时间	28 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	5800pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	190nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	13 毫欧 @ 500mA，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-3P
典型关闭延迟时间	100 ns
功率-最大值	714W
包装	管件
单位重量	5.500 g
商标	IXYS
商标名	PolarHT
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3
封装/箱体	TO-3P-3
工厂包装数量	30
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	30
正向跨导-最小值	55 S
漏源极电压(Vdss)	150V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	150A （Tc）
系列	IXTQ150N15
通道模式	Enhancement
配置	Single