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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTQ120N20P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTQ120N20P价格参考¥54.42-¥62.29。IXYSIXTQ120N20P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTQ120N20P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTQ120N20P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 200V 120A TO-3PMOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 120 A |
Id-连续漏极电流 | 120 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTQ120N20PPolarHT™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXTQ120N20P |
Pd-PowerDissipation | 714 W |
Pd-功率耗散 | 714 W |
Qg-GateCharge | 152 nC |
Qg-栅极电荷 | 152 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 22 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 22 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
上升时间 | 35 ns |
下降时间 | 31 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6000pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 152nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 22 毫欧 @ 500mA,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-3P |
典型关闭延迟时间 | 100 ns |
功率-最大值 | 714W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 5.500 g |
商标 | IXYS |
商标名 | PolarHT |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
封装/箱体 | TO-3P-3 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
正向跨导-最小值 | 40 S |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |
系列 | IXTQ120N20 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |