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型号： IXTP96P085T
制造商： IXYS
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IXTP96P085T产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IXTP96P085T由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTP96P085T价格参考。IXYSIXTP96P085T封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 P 沟道 85V 96A（Tc） 298W（Tc） TO-220AB。您可以下载IXTP96P085T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTP96P085T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET P-CH 85V 96A TO-220MOSFET -96 Amps -85V 0.013 Rds
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	- 96 A
Id-连续漏极电流	- 96 A
品牌	IXYS
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,IXYS IXTP96P085TTrenchP™
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IXTP96P085T
Pd-PowerDissipation	298 W
Pd-功率耗散	298 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	13 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	13 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	- 85 V
Vds-漏源极击穿电压	- 85 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 15 V
Vgs-栅源极击穿电压	15 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	13100pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	180nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	13 毫欧 @ 48A， 10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220AB
功率-最大值	298W
包装	管件
单位重量	2.300 g
商标	IXYS
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	85V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	96A （Tc）
系列	IXTP96P085
通道模式	Enhancement
配置	Single