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  • 型号: IXTP1R6N50P
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXTP1R6N50P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTP1R6N50P价格参考。IXYSIXTP1R6N50P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTP1R6N50P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTP1R6N50P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 500V 1.6A TO-220MOSFET 1.6 Amps 500 V 6 Ohm Rds

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1.6 A

Id-连续漏极电流

1.6 A

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXTP1R6N50PPolarHV™

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IXTP1R6N50P

Pd-PowerDissipation

43 W

Pd-功率耗散

43 W

Qg-GateCharge

3.9 nC

Qg-栅极电荷

3.9 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

6.5 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

6.5 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

5.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

5.5 V

上升时间

26 ns

下降时间

23 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5.5V @ 25µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

140pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

3.9nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6.5 欧姆 @ 500mA,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

典型关闭延迟时间

45 ns

功率-最大值

43W

包装

管件

单位重量

2.300 g

商标

IXYS

商标名

PolarHV

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

75

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

0.7 S

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.6A (Tc)

系列

IXTP1R6N50

通道模式

Enhancement

配置

Single

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