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  • 型号: IXTP140P05T
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXTP140P05T由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTP140P05T价格参考。IXYSIXTP140P05T封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTP140P05T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTP140P05T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 50V 140A TO-220MOSFET -140 Amps -50V 0.008 Rds

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 140 A

Id-连续漏极电流

- 140 A

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXTP140P05TTrenchP™

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产品型号

IXTP140P05T

Pd-PowerDissipation

298 W

Pd-功率耗散

298 W

Qg-GateCharge

200 nC

Qg-栅极电荷

200 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

9 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

9 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 50 V

Vds-漏源极击穿电压

- 50 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 15 V

Vgs-栅源极击穿电压

15 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 4 V

上升时间

34 ns

下降时间

25 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

13500pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

200nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

9 毫欧 @ 70A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

典型关闭延迟时间

38 ns

功率-最大值

298W

包装

管件

单位重量

2.300 g

商标

IXYS

商标名

TrenchP

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

44 S

漏源极电压(Vdss)

50V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

140A (Tc)

系列

IXTP140P05

通道模式

Enhancement

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