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  • 型号: IXTP02N120P
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXTP02N120P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTP02N120P价格参考。IXYSIXTP02N120P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTP02N120P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTP02N120P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 1200V 200MA TO-220MOSFET 500V to 1200V Polar Power MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

200 mA

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXTP02N120PPolar™

数据手册

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产品型号

IXTP02N120P

Pd-PowerDissipation

33 W

Pd-功率耗散

33 W

Qg-GateCharge

4.7 nC

Qg-栅极电荷

4.7 nC

RdsOn-漏源导通电阻

60 Ohms

Vds-漏源极击穿电压

1.2 kV

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

10 ns

下降时间

39 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

104pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

4.7nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

75 欧姆 @ 100mA,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

典型关闭延迟时间

21 ns

功率-最大值

33W

包装

管件

商标

IXYS

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

60 Ohms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

0.12 S

汲极/源极击穿电压

1.2 kV

漏极连续电流

200 mA

漏源极电压(Vdss)

1200V(1.2kV)

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

200mA (Tc)

系列

IXTP02N120

通道模式

Enhancement

配置

Single

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