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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTP02N120P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTP02N120P价格参考。IXYSIXTP02N120P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTP02N120P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTP02N120P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 1200V 200MA TO-220MOSFET 500V to 1200V Polar Power MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 200 mA |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTP02N120PPolar™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXTP02N120P |
Pd-PowerDissipation | 33 W |
Pd-功率耗散 | 33 W |
Qg-GateCharge | 4.7 nC |
Qg-栅极电荷 | 4.7 nC |
RdsOn-漏源导通电阻 | 60 Ohms |
Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
上升时间 | 10 ns |
下降时间 | 39 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 104pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.7nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 75 欧姆 @ 100mA,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
典型关闭延迟时间 | 21 ns |
功率-最大值 | 33W |
包装 | 管件 |
商标 | IXYS |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 60 Ohms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 0.12 S |
汲极/源极击穿电压 | 1.2 kV |
漏极连续电流 | 200 mA |
漏源极电压(Vdss) | 1200V(1.2kV) |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 200mA (Tc) |
系列 | IXTP02N120 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |