ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IXTN210P10T
Datasheet下载- 型号： IXTN210P10T
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTN210P10T由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTN210P10T价格参考。IXYSIXTN210P10T封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 底座安装 P 沟道 100V 210A（Tc） 830W（Tc） SOT-227B。您可以下载IXTN210P10T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTN210P10T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227分立半导体模块 TrenchP Channel Power MOSFETs |
| 产品分类 | FET - 模块分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 分立半导体模块,IXYS IXTN210P10TTrenchP™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTN210P10T |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 上升时间 | 98 ns |
| 下降时间 | 55 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 69500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 740nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 毫欧 @ 105A, 10V |
| 产品种类 | 分立半导体模块 |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
| 典型关闭延迟时间 | 165 ns |
| 功率-最大值 | 830W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | TrenchP |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 安装风格 | Screw |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 封装/箱体 | SOT-227-4 |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 10 |
| 正向跨导-最小值 | 90 s |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 210A |
| 类型 | TrenchP Power MOSFET |
| 系列 | IXTN210P10 |
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