ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IXTN17N120L
Datasheet下载- 型号： IXTN17N120L
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTN17N120L由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTN17N120L价格参考。IXYSIXTN17N120L封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 底座安装 N 沟道 1200V 15A（Tc） 540W（Tc） SOT-227B。您可以下载IXTN17N120L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTN17N120L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXTN17N120L 是 IXYS 公司生产的一款晶体管，属于 FET（场效应晶体管）中的 MOSFET - 单类型。其应用场景广泛，主要适用于高电压、高效率的电力电子系统中。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) - IXTN17N120L 的耐压值高达 1200V，适合用于开关电源中的高压开关元件。 - 在 AC-DC 或 DC-DC 转换器中，作为主功率开关器件，用于高频开关操作，实现高效的能量转换。 2. 逆变器 - 可应用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）等设备中。 - 在逆变器中，MOSFET 负责将直流电转换为交流电，其低导通电阻特性有助于减少功率损耗。 3. 电机驱动 - 用于工业控制和家电领域的电机驱动电路中。 - 例如，在步进电机、伺服电机或无刷直流电机的驱动电路中，作为功率开关，控制电机的启动、停止和速度调节。 4. 电动工具 - 在高功率电动工具（如电钻、电锯）中，作为功率开关，提供高效的能量传输和控制。 - 其高耐压和低导通电阻特性能够满足电动工具对可靠性和效率的要求。 5. 电动汽车和混合动力汽车 - 在车载充电器、DC-DC 转换器和辅助电源模块中使用。 - 提供高可靠性、高效率的电力转换能力，支持电动车系统的复杂需求。 6. 照明系统 - 用于 LED 驱动电路中，特别是在需要高压输入的应用场景下。 - 其低功耗和高效率特性可延长灯具的使用寿命并降低能耗。 7. 工业自动化 - 在工业自动化设备中，作为功率开关或负载控制器，用于驱动电磁阀、继电器或其他执行机构。 8. 焊接设备 - 在焊接机中，作为功率开关，控制电流输出的大小和稳定性。 - 其高耐压和快速开关能力非常适合焊接设备的动态需求。 总结 IXTN17N120L 凭借其 1200V 的高耐压、低导通电阻以及出色的热性能，适用于多种高压、大功率的应用场景。它在电力电子领域中表现出色，尤其适合需要高效能量转换和高可靠性的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227BMOSFET 17 Amps 1200V |
| 产品分类 | FET - 模块分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 15 A |
| Id-连续漏极电流 | 15 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTN17N120L- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTN17N120L |
| Pd-PowerDissipation | 540 W |
| Pd-功率耗散 | 540 W |
| Qg-GateCharge | 155 nC |
| Qg-栅极电荷 | 155 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 900 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 900 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1.2 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 6 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 6 V |
| 上升时间 | 31 ns |
| 下降时间 | 83 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 155nC @ 15V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 900 毫欧 @ 8.5A，20V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
| 典型关闭延迟时间 | 110 ns |
| 功率-最大值 | 540W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 38 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | Linear |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 封装/箱体 | SOT-227B-4 |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 10 |
| 正向跨导-最小值 | 3.5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A |
| 系列 | IXTN17N120 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Source |
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