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  • 型号: IXTK40P50P
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXTK40P50P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTK40P50P价格参考。IXYSIXTK40P50P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTK40P50P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTK40P50P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET P-CH 500V 40A TO-264MOSFET -40.0 Amps -500V 0.230 Rds

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 40 A

Id-连续漏极电流

- 40 A

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXTK40P50PPolarP™

数据手册

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产品型号

IXTK40P50P

Pd-PowerDissipation

890 W

Pd-功率耗散

890 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

230 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

230 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 500 V

Vds-漏源极击穿电压

- 500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

11500pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

205nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

230 毫欧 @ 20A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-264 (IXTK)

功率-最大值

890W

包装

管件

单位重量

10 g

商标

IXYS

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-264-3,TO-264AA

封装/箱体

TO-264-3

工厂包装数量

25

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

25

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

40A (Tc)

系列

IXTK40P50

配置

Single

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