【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IXTK17N120L】封装/厂家_IXTK17N120L中文资料_价格

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型号： IXTK17N120L
制造商： IXYS
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IXTK17N120L产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IXTK17N120L由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTK17N120L价格参考。IXYSIXTK17N120L封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 1200V 17A（Tc） 700W（Tc） TO-264（IXTK）。您可以下载IXTK17N120L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTK17N120L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXTK17N120L是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。该型号的具体应用场景包括但不限于以下几个方面：

 1. 工业电源
   - IXTK17N120L适用于开关电源（SMPS）和直流-直流转换器中。其1200V的高耐压能力使其能够在高压环境中稳定工作，适合用于工业级电源设备。
   - 在不间断电源（UPS）系统中，这款MOSFET可用于逆变电路和功率调节部分。

 2. 电机驱动
   - 该器件可应用于工业电机驱动和伺服控制系统中，尤其是在需要高电压和高效率的场合。
   - 它能够承受较高的电压和电流波动，确保电机运行的可靠性和稳定性。

 3. 太阳能逆变器
   - IXTK17N120L可用于太阳能光伏系统的逆变器中，将直流电转换为交流电。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于提高能量转换效率，减少功率损耗。

 4. 电动车和混合动力汽车
   - 在电动车或混合动力汽车的电力管理系统中，这款MOSFET可用于电池管理系统（BMS）、DC-DC转换器以及电机控制器等关键部件。
   - 其高耐压和高效性能使其成为车载电子系统的理想选择。

 5. 高压开关应用
   - 由于其1200V的额定电压，IXTK17N120L非常适合用于高压开关电路，例如固态继电器、脉冲宽度调制（PWM）控制器等。
   - 在需要快速开关和低损耗的应用场景中表现出色。

 6. 焊接设备
   - 在焊接机中，这款MOSFET可以用于控制焊接电流的输出，提供稳定的功率输出并减少能量浪费。

 7. 其他领域
   - 医疗设备中的高压电源模块。
   - 实验室仪器和测试设备中的精密电源控制。
   - 高压LED驱动器和照明系统。

总之，IXTK17N120L凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于各种高压、大功率和高效能需求的场景中，是工业和能源领域的重要元器件之一。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 1200V 17A TO-264MOSFET 17 Amps 1200V
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-连续漏极电流	17 A
品牌	IXYS
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,IXYS IXTK17N120L-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IXTK17N120L
Pd-PowerDissipation	700 W
Pd-功率耗散	700 W
Qg-GateCharge	270 nC
Qg-栅极电荷	270 nC
RdsOn-漏源导通电阻	990 mOhms
Vds-漏源极击穿电压	1.2 kV
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	5 V
Vgsth-栅源极阈值电压	5 V
上升时间	39 ns
下降时间	63 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	8300pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	155nC @ 15V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	900 毫欧 @ 8.5A，20V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-264 （IXTK）
典型关闭延迟时间	75 ns
功率-最大值	700W
包装	管件
单位重量	10 g
商标	IXYS
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
导通电阻	990 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-264-3，TO-264AA
封装/箱体	TO-264-3
工厂包装数量	25
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	25
正向跨导-最小值	3.5 S
汲极/源极击穿电压	1.2 kV
漏极连续电流	17 A
漏源极电压(Vdss)	1200V（1.2kV）
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	17A （Tc）
系列	IXTK17N120
通道模式	Enhancement
配置	Single

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Advance Technical Information Linear Power MOSFET IXTK17N120L V = 1200 V DSS With Extended FBSOA IXTX17N120L I = 17 A D25 ≤≤≤≤≤ ΩΩΩΩΩ R 0.99 N-Channel Enhancement Mode DS(on) TO-264 (IXTK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings V T = 25°C to 150°C 1200 V DSS J V T = 25°C to 150°C; R = 1 MΩ 1200 V DGR J GS G V Continuous ±30 V D GS S (TAB) V Transient ±40 V GSM I T = 25°C 17 A PLUS247 (IXTX) D25 C I T = 25°C, pulse width limited by T 30 A DM C JM I T = 25°C 10 A AR C E T = 25°C 60 mJ AR C E 1.5 J AS P T = 25°C 700 W D C TAB T -55 to +150 °C J T 150 °C JM G = Gate D = Drain T -55 to +150 °C S = Source TAB = Drain stg T 1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s 300 °C L T Plastic body for 10 s 260 °C SOLD M Mounting torque (TO-264) 1.13/10 Nm/lb.in. Features d F Mounting force (PLUS247TM) 20...120/4.5...27 N/lb. c (cid:122)Designed for linear operation Weight PLUS247 6 g TO-264 10 g (cid:122)International standard package (cid:122)Unclamped Inductive switching (UIS) rated (cid:122)Molding epoxies meet UL94V-0 flammability classification Symbol Test Conditions Characteristic Values Applications (T = 25°C, unless otherwise specified) J Min. Typ. Max. (cid:122)Programmable loads BV V = 0 V, I = 1 mA 1200 V DSS GS D (cid:122)Current regulators V V = V , I = 250 μA 3 5 V GS(th) DS GS D (cid:122)DC-DC converters IGSS VGS = ±30 V, VDS = 0 V ±200 nA (cid:122)Battery chargers IDSS VVDS == 0V DVSS TTJ == 1 2255°°CC 520 mμAA (cid:122)DC choppers GS J (cid:122)Temperature and lighting controls R V = 20 V, I = 0.5 I , Note 1 0.99 Ω DS(on) GS D D25 Advantages (cid:122) Easy to mount (cid:122) Space savings (cid:122) High power density IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions. © 2007 IXYS CORPORATION, All rights reserved DS99615(03/07)

IXTK17N120L IXTX17N120L Symbol Test Conditions Characteristic Values TO-264 (IXTK) Outline (T = 25°C, unless otherwise specified) J Min. Typ. Max. g V = 20 V; I = 0.5 • I , Note 1 3.5 5.0 7.5 S fs DS D D25 C 8000 pF iss C V = 0 V, V = 25 V, f = 1 MHz 520 pF oss GS DS C 86 pF rss t 40 ns d(on) t V = 15 V, V = 0.5 • V , I = 0.5 • I 39 ns r GS DS DSS D D25 t R = 2 Ω (External), 75 ns d(off) G t 63 ns f Q 270 nC g(on) Q V = 15 V, V = 0.5 • V , I = 0.5 • I 70 nC gs GS DS DSS D D25 Q 110 nC gd R 0.18 °C/W thJC R 0.15 °C/W thCS Safe Operating Area Specification Symbol Test Conditions Min. Typ. Max. SOA V = 800 V, I = 0.3 A, T = 90°C 240 W DS D C Source-Drain Diode Characteristic Values (T = 25°C, unless otherwise specified) PLUS247TM (IXTX) Outline J Symbol Test Conditions Min. Typ. Max. I V = 0 V 17 A S GS I Repetitive; pulse width limited by T 30 A SM JM V I = I , V = 0 V, Note 1 1.5 V SD F S GS t I = I , -di/dt = 100 A/μs, V =100V 1350 ns rr F S R Note 1: Pulse test, t < 300 μs, duty cycle, d ≤ 2 % Terminals: 1 - Gate 2 - Drain (Collector) 3 - Source (Emitter) 4 - Drain (Collector) Dim. Millimeter Inches Min. Max. Min. Max. A 4.83 5.21 .190 .205 A 2.29 2.54 .090 .100 1 A 1.91 2.16 .075 .085 2 b 1.14 1.40 .045 .055 b 1.91 2.13 .075 .084 1 b 2.92 3.12 .115 .123 ADVANCE TECHNICAL INFORMATION 2 C 0.61 0.80 .024 .031 The product presented herein is under development. The Technical Specifications offered are D 20.80 21.34 .819 .840 derived from a subjective evaluation of the design, based upon prior knowledge and experience, E 15.75 16.13 .620 .635 and constitute a "considered reflection" of the anticipated result. IXYS reserves the right to change e 5.45 BSC .215 BSC limits, test conditions, and dimensions without notice. L 19.81 20.32 .780 .800 L1 3.81 4.32 .150 .170 Q 5.59 6.20 .220 0.244 R 4.32 4.83 .170 .190 IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions. IXYS MOSFETs and IGBTs are covered 4,835,592 4,931,844 5,049,961 5,237,481 6,162,665 6,404,065 B1 6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2 7,157,338B2 by one or moreof the following U.S. patents: 4,850,072 5,017,508 5,063,307 5,381,025 6,259,123 B1 6,534,343 6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2 4,881,106 5,034,796 5,187,117 5,486,715 6,306,728 B1 6,583,505 6,710,463 6,771,478 B27,071,537

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