参数 |
数值 |
产品目录 |
分立半导体产品半导体 |
ChannelMode |
Enhancement |
描述 |
MOSFET P-CH 100V 76A TO-247MOSFET -76 Amps -100V 0.024 Rds |
产品分类 |
FET - 单分离式半导体 |
FET功能 |
标准 |
FET类型 |
MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent |
- 76 A |
Id-连续漏极电流 |
- 76 A |
品牌 |
IXYS |
产品手册 |
点击此处下载产品Datasheet |
产品图片 |
|
rohs |
符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 |
晶体管,MOSFET,IXYS IXTH76P10TTrenchP™ |
数据手册 |
点击此处下载产品Datasheet |
产品型号 |
IXTH76P10T |
Pd-PowerDissipation |
298 W |
Pd-功率耗散 |
298 W |
Qg-GateCharge |
197 nC |
Qg-栅极电荷 |
197 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance |
25 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 |
25 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage |
- 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 |
- 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage |
+/- 15 V |
Vgs-栅源极击穿电压 |
15 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage |
- 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
- 4 V |
上升时间 |
40 ns |
下降时间 |
20 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) |
4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) |
13700pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) |
197nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) |
25 毫欧 @ 500mA,10V |
产品种类 |
MOSFET |
供应商器件封装 |
TO-247 (IXTH) |
典型关闭延迟时间 |
52 ns |
功率-最大值 |
298W |
包装 |
管件 |
单位重量 |
6.500 g |
商标 |
IXYS |
商标名 |
TrenchP |
安装类型 |
通孔 |
安装风格 |
Through Hole |
封装 |
Tube |
封装/外壳 |
TO-247-3 |
封装/箱体 |
TO-247-3 |
工厂包装数量 |
30 |
晶体管极性 |
P-Channel |
最大工作温度 |
+ 150 C |
最小工作温度 |
- 55 C |
标准包装 |
30 |
正向跨导-最小值 |
35 S |
漏源极电压(Vdss) |
100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) |
76A (Tc) |
系列 |
IXTH76P10 |
通道模式 |
Enhancement |