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  • 型号: IXTH48P20P
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXTH48P20P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTH48P20P价格参考。IXYSIXTH48P20P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTH48P20P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTH48P20P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 200V 48A TO-247MOSFET -48.0 Amps -200V 0.085 Rds

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 48 A

Id-连续漏极电流

- 48 A

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXTH48P20PPolarP™

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IXTH48P20P

Pd-PowerDissipation

462 W

Pd-功率耗散

462 W

Qg-GateCharge

103 nC

Qg-栅极电荷

103 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

85 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

85 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 200 V

Vds-漏源极击穿电压

- 200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 4 V

上升时间

46 ns

下降时间

27 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5400pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

103nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

85 毫欧 @ 500mA,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247 (IXTH)

典型关闭延迟时间

67 ns

功率-最大值

462W

包装

管件

单位重量

6.500 g

商标

IXYS

商标名

PolarP

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

85 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

正向跨导-最小值

19 S

汲极/源极击穿电压

- 200 V

漏极连续电流

- 48 A

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

48A (Tc)

系列

IXTH48P20

通道模式

Enhancement

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