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  • 型号: IXTH02N250
  • 制造商: IXYS
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXTH02N250由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTH02N250价格参考。IXYSIXTH02N250封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTH02N250参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTH02N250 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 2500V 200MA TO247MOSFET High Voltage Power MOSFET; 2500V, 0.2A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

200 mA

Id-连续漏极电流

200 mA

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXTH02N250-

数据手册

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产品型号

IXTH02N250

Pd-PowerDissipation

83 W

Pd-功率耗散

83 W

Qg-GateCharge

7.4 nC

Qg-栅极电荷

7.4 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

450 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

450 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

2.5 kV

Vds-漏源极击穿电压

2.5 kV

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4.5 V

上升时间

19 ns

下降时间

33 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

116pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

7.4nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

450 欧姆 @ 50mA,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247 (IXTH)

典型关闭延迟时间

32 ns

功率-最大值

83W

包装

管件

单位重量

6.500 g

商标

IXYS

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

正向跨导-最小值

88 mS

漏源极电压(Vdss)

2500V(2.5kV)

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

200mA (Tc)

系列

IXTH02N250

通道模式

Enhancement

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