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  • 型号: IXTF1N450
  • 制造商: IXYS
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IXTF1N450产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXTF1N450由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTF1N450价格参考。IXYSIXTF1N450封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 4500V 900mA(Tc) 160W(Tc) ISOPLUS i4-PAC™。您可以下载IXTF1N450参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTF1N450 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXTF1N450是一款单晶体管FET(场效应晶体管),具体为MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该型号属于高压MOSFET,适用于多种工业和电力电子应用。以下是其主要应用场景:

 1. 开关电源(SMPS)
   - IXTF1N450具有高耐压能力(额定电压高达450V),适合用作开关电源中的功率开关器件。
   - 常见于AC-DC转换器、DC-DC转换器等电路中,用于高效能量转换。

 2. 电机驱动
   - 适用于中小功率的电机驱动电路,例如步进电机、直流无刷电机(BLDC)等。
   - 在H桥或半桥驱动电路中,作为开关元件控制电机的正反转和速度调节。

 3. 逆变器
   - 可用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)等设备中,实现直流到交流的转换。
   - 高压特性使其能够处理较高的输入电压范围。

 4. 电磁阀和继电器驱动
   - 用于控制电磁阀、继电器等负载的通断,尤其是在需要高压驱动的应用中。

 5. 电池管理系统(BMS)
   - 在电池保护电路中,作为充放电控制开关,确保电池的安全运行。

 6. 固态继电器(SSR)
   - 替代传统机械继电器,提供更快的开关速度和更长的使用寿命。

 7. 照明系统
   - 应用于高压LED驱动电路中,作为功率开关或调光控制元件。

 特性总结:
- 高耐压:450V的额定电压使其适合高压环境。
- 低漏电流:减少静态功耗,提高效率。
- 快速开关能力:适用于高频开关应用。
- 耐用性强:能够在恶劣环境下稳定工作。

IXTF1N450凭借其高压特性和可靠性,广泛应用于工业控制、消费电子、通信设备以及新能源领域。选择该型号时需根据具体电路要求,匹配合适的驱动电路和散热设计以确保最佳性能。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 4500V 900MA I4PAKMOSFET 4500V 0.9A HV Power MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

900 mA

Id-连续漏极电流

900 mA

品牌

IXYS

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXTF1N450-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IXTF1N450

Pd-PowerDissipation

165 W

Pd-功率耗散

165 W

Qg-GateCharge

40 nC

Qg-栅极电荷

40 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

95 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

95 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

4.5 kV

Vds-漏源极击穿电压

4.5 kV

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3.5 V to 6 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3.5 V to 6 V

上升时间

60 ns

下降时间

127 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

6.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1730pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

40nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

85 欧姆 @ 50mA, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

ISOPLUS i4-PAC™

典型关闭延迟时间

58 ns

功率-最大值

165W

包装

管件

商标

IXYS

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

i4-Pac™-5(3 引线)

封装/箱体

ISOPLUS i4-PAK-3

工厂包装数量

25

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

25

正向跨导-最小值

0.46 S

漏源极电压(Vdss)

4500V (4.5kV)

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/4500-v-power-mosfets/50198

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

900mA (Tc)

系列

IXTF1N450

通道模式

Enhancement

配置

Single

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