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Datasheet下载- 型号： IXTA2R4N120P
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTA2R4N120P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTA2R4N120P价格参考。IXYSIXTA2R4N120P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 1200V 2.4A（Tc） 125W（Tc） TO-263（IXTA）。您可以下载IXTA2R4N120P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTA2R4N120P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXTA2R4N120P是由IXYS公司生产的单个MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于增强型N沟道功率MOSFET。其主要应用场景如下： 1. 开关电源（SMPS） IXTA2R4N120P具有低导通电阻和高击穿电压（VDS = 1200V），适合用于开关电源中的高频开关应用。它可以在高压环境下高效地进行电流切换，广泛应用于AC-DC转换器、DC-DC转换器等电力电子设备中。 2. 电机驱动 该MOSFET可用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机。由于其高耐压和快速开关特性，能够在电机启动、运行和制动过程中提供稳定的电流控制，适用于工业自动化、电动工具和家电等领域。 3. 逆变器 在光伏逆变器和其他类型的逆变器中，IXTA2R4N120P可以作为功率级的关键元件，用于将直流电转换为交流电。其高击穿电压确保了在高压直流输入下的可靠工作，而低导通电阻则有助于减少能量损耗，提高转换效率。 4. 不间断电源（UPS） IXTA2R4N120P可用于UPS系统中的电池充电电路和逆变电路，确保在市电中断时能够迅速切换到电池供电模式，并提供稳定的输出电压。其快速响应能力和高可靠性使得UPS系统能够在关键时刻保持稳定运行。 5. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV） 该MOSFET适用于电动汽车和混合动力汽车的牵引逆变器、车载充电器和DC-DC转换器。其高耐压特性和低导通电阻使其能够在高压环境下高效工作，同时具备良好的散热性能，确保长时间稳定运行。 6. 工业控制系统 在工业控制系统中，IXTA2R4N120P可用于各种开关控制电路，如电磁阀驱动、继电器控制等。其高可靠性和耐用性使得它能够在恶劣的工业环境中长期稳定工作。 总之，IXTA2R4N120P凭借其高击穿电压、低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于电力电子、电机驱动、逆变器、UPS、电动汽车和工业控制系统等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-263 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXTA2R4N120P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | Polar™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1207pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 37nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | TO-263 （IXTA） |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.4A （Tc） |
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