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- 型号： IXTA28P065T
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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IXTA28P065T产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTA28P065T由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IXTA28P065T价格参考以及IXYSIXTA28P065T封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IXTA28P065T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有IXTA28P065T详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 65V 28A TO-263MOSFET 28 Amps 65V 0.045 Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 28 A |
| Id-连续漏极电流 | - 28 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTA28P065TTrenchP™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTA28P065T |
| Pd-PowerDissipation | 83 W |
| Pd-功率耗散 | 83 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 45 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 45 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 65 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 65 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 15 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2030pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 46nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45 毫欧 @ 14A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263 （IXTA） |
| 功率-最大值 | 83W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.600 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 65V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 28A （Tc） |
| 系列 | IXTA28P065 |
| 配置 | Single |
