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  • 型号: IXGR72N60A3H1
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXGR72N60A3H1由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXGR72N60A3H1价格参考。IXYSIXGR72N60A3H1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXGR72N60A3H1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXGR72N60A3H1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

31ns/320ns

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

400A

描述

IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247IGBT 模块 Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

230nC

IGBT类型

PT

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

产品系列

晶体管,IGBT 模块,IXYS IXGR72N60A3H1GenX3™

数据手册

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产品型号

IXGR72N60A3H1

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

SwitchingEnergy

1.4mJ(开),3.5mJ(关)

TestCondition

480V,50A,3 欧姆,15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

1.45V @ 15V, 60A

产品种类

IGBT 模块

供应商器件封装

ISOPLUS247™

功率-最大值

200W

功率耗散

200 W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

140ns

商标

IXYS

商标名

GenX3

在25C的连续集电极电流

75 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

ISOPLUS247™

封装/箱体

ISOPLUS247-3

工厂包装数量

30

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

栅极—射极漏泄电流

100 nA

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

75A

系列

IXGR72N60

输入类型

标准

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极—射极饱和电压

600 V

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