ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > IXGP16N60B2D1
Datasheet下载- 型号： IXGP16N60B2D1
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXGP16N60B2D1由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXGP16N60B2D1价格参考。IXYSIXGP16N60B2D1封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT PT 600V 40A 150W Through Hole TO-220AB。您可以下载IXGP16N60B2D1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXGP16N60B2D1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXGP16N60B2D1是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - UGBT（超结沟槽MOSFET）类别，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景的概述： 1. 工业电源 - IXGP16N60B2D1具有高耐压（600V）和低导通电阻的特点，非常适合用于工业开关电源（SMPS）中，例如不间断电源（UPS）、焊接设备和电机驱动电源。 - 其高效能表现可降低能耗并提高系统可靠性。 2. 太阳能逆变器 - 在光伏系统中，该器件可用于DC-AC逆变器电路，实现高效的能量转换。 - 其快速开关特性和低损耗有助于提高逆变器的整体效率，减少热量产生。 3. 电机驱动与控制 - 适用于工业电机、家用电器（如空调、冰箱等）中的无刷直流电机（BLDC）驱动电路。 - 能够承受较高的电压波动，确保在复杂工况下的稳定运行。 4. 电动车与充电桩 - 在电动车领域，该MOSFET可用于电池管理系统（BMS）、DC-DC转换器以及电机控制器。 - 对于充电桩，它能够支持高效的功率转换，满足快速充电需求。 5. 高频开关应用 - 由于其优异的开关性能，IXGP16N60B2D1适合高频开关应用，例如PFC（功率因数校正）电路。 - 在这些场景下，它可以显著降低开关损耗，提升系统的功率密度。 6. 家电与消费电子 - 在家用电器中，如电磁炉、微波炉等，该器件可用于功率控制模块，提供高效且稳定的性能。 - 同时也适用于笔记本适配器和其他便携式设备的电源管理。 总结 IXGP16N60B2D1凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，在工业、能源、交通及消费电子等多个领域均有广泛应用。其设计旨在优化功率转换效率，同时具备良好的热管理和耐用性，是高性能电力电子系统中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 18ns/73ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 100A |
| 描述 | IGBT 600V 40A 150W TO220 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 24nC |
| IGBT类型 | PT |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXGP16N60B2D1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HiPerFAST™ |
| SwitchingEnergy | 160µJ （开）， 120µJ （关） |
| TestCondition | 400V，12A，22 欧姆，15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.95V @ 15V， 12A |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 30ns |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 40A |
| 输入类型 | 标准 |
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