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  • 型号: IXGH48N60A3D1
  • 制造商: IXYS
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXGH48N60A3D1由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXGH48N60A3D1价格参考。IXYSIXGH48N60A3D1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXGH48N60A3D1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXGH48N60A3D1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS公司生产的IXGH48N60A3D1是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - UGBT(超结沟槽MOSFET)类别,其主要应用场景如下:

 1. 电源管理
   - 该型号适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC转换器等电源管理系统。其600V的额定电压和低导通电阻特性使其能够高效地处理高电压和大电流的应用场景。
   - 在太阳能逆变器中,IXGH48N60A3D1可用于功率转换模块,实现高效的能量传输。

 2. 电机驱动
   - 用于工业自动化中的电机驱动器,如步进电机、伺服电机和无刷直流电机(BLDC)。其快速开关特性和低损耗性能可提高电机控制系统的效率。
   - 在电动车或电动工具中,该MOSFET可以作为功率级器件,控制电机的运行状态。

 3. 电动汽车与混合动力汽车
   - IXGH48N60A3D1适用于车载充电器(OBC)和DC-DC转换器,为电池充电和供电提供高效的功率转换。
   - 其耐高压特性使其能够在复杂的汽车电气环境中稳定工作。

 4. 工业设备
   - 在工业设备中,如焊接机、UPS(不间断电源)和电焊机,该MOSFET可以用于功率放大和控制电路。
   - 其高耐用性和可靠性使其适合恶劣的工作环境。

 5. 消费电子
   - 在家用电器(如空调、冰箱、洗衣机)中,IXGH48N60A3D1可用于变频控制模块,提升能效并降低能耗。
   - 在LED照明驱动电路中,该MOSFET能够提供稳定的电流输出,确保灯光亮度一致。

 总结
IXGH48N60A3D1凭借其高电压承受能力、低导通电阻和快速开关速度,广泛应用于电力电子领域,尤其是在需要高效功率转换和控制的场合。其卓越的性能和可靠性使其成为许多高端应用的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

25ns/334ns

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

300A

描述

IGBT 600V 300W TO247ADIGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 48A

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

110nC

IGBT类型

PT

品牌

IXYS

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXGH48N60A3D1GenX3™

数据手册

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IXGH48N60A3D1

SwitchingEnergy

950µJ (开), 2.9mJ (关)

TestCondition

480V,32A,5 欧姆,15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

1.35V @ 15V,32A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-247AD (IXGH)

功率-最大值

300W

功率耗散

300 W

包装

管件

单位重量

6.500 g

反向恢复时间(trr)

25ns

商标

IXYS

商标名

GenX3

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247AD-3

工厂包装数量

30

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

栅极—射极漏泄电流

100 nA

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

-

系列

IXGH48N60

输入类型

标准

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极—射极饱和电压

1.18 V

集电极最大连续电流Ic

300 A

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