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  • 型号: IXGF32N170
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXGF32N170由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXGF32N170价格参考。IXYSIXGF32N170封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXGF32N170参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXGF32N170 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

45ns/270ns

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

200A

描述

IGBT 1700V 44A 200W I4PACIGBT 晶体管 26 Amps 1700V 3.5 V Rds

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

146nC

IGBT类型

NPT

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXGF32N170-

数据手册

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产品型号

IXGF32N170

SwitchingEnergy

10.6mJ(关)

TestCondition

1020V, 32A, 2.7 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

3.5V @ 15V,32A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

ISOPLUS i4-PAC™

功率-最大值

200W

功率耗散

200 W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

-

商标

IXYS

在25C的连续集电极电流

44 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

i4-Pac™-5(3 引线)

封装/箱体

ISOPLUS i4-Pak-3

工厂包装数量

25

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

栅极—射极漏泄电流

100 nA

标准包装

25

电压-集射极击穿(最大值)

1700V

电流-集电极(Ic)(最大值)

44A

系列

IXGF32N170

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

1.7 kV

集电极—射极饱和电压

2.7 V

集电极最大连续电流Ic

200 A

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