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  • 型号: IXGA30N60C3C1
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXGA30N60C3C1由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXGA30N60C3C1价格参考。IXYSIXGA30N60C3C1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXGA30N60C3C1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXGA30N60C3C1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

17ns/42ns

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

150A

描述

IGBT 600V 60A 220W TO263IGBT 晶体管 G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

38nC

IGBT类型

PT

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXGA30N60C3C1GenX3™

数据手册

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产品型号

IXGA30N60C3C1

SwitchingEnergy

120µJ (开), 90µJ (关)

TestCondition

300V,20A,5 欧姆,15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

3V @ 15V,20A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-263 (IXGA)

功率-最大值

220W

功率耗散

220 W

包装

管件

单位重量

1.600 g

反向恢复时间(trr)

-

商标

IXYS

商标名

GenX3

在25C的连续集电极电流

60 A

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Tube

封装/外壳

TO-263-4,D²Pak(3 引线+接片),TO-263AA

封装/箱体

TO-263-3

工厂包装数量

50

技术

SiC

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

栅极—射极漏泄电流

100 nA

标准包装

50

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

60A

系列

IXGA30N60

输入类型

标准

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极—射极饱和电压

2.6 V

集电极最大连续电流Ic

150 A

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