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  • 型号: IXFX44N80P
  • 制造商: IXYS
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IXFX44N80P产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFX44N80P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFX44N80P价格参考。IXYSIXFX44N80P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 800V 44A(Tc) 1040W(Tc) PLUS247™-3。您可以下载IXFX44N80P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFX44N80P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247MOSFET 44 Amps 800V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

44 A

Id-连续漏极电流

44 A

品牌

IXYS

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXFX44N80PPolarHV™ HiPerFET™

数据手册

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产品型号

IXFX44N80P

Pd-PowerDissipation

1.04 kW

Pd-功率耗散

1.04 kW

Qg-GateCharge

198 nC

Qg-栅极电荷

198 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

190 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

190 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

800 V

Vds-漏源极击穿电压

800 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

5 V

上升时间

22 ns

下降时间

27 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 8mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

12000pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

198nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

190 毫欧 @ 22A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PLUS247™-3

典型关闭延迟时间

75 ns

功率-最大值

1040W

包装

管件

商标

IXYS

商标名

PolarHV

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

PLUS 247-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

正向跨导-最小值

27 S

漏源极电压(Vdss)

800V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

44A (Tc)

系列

IXFX44N80

通道模式

Enhancement

配置

Single

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